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台积电将能制造120mm120mm的芯片

时间:2024-04-28 11:02   来源:证券之星   阅读量:8041   

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认为 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 GPU 很大吗?再想一想:台积电 在北美技术研讨会上宣布,该公司正在开发其晶圆上芯片封装技术的一个版本,该技术将使系统级封装(SiP)的尺寸增大两倍以上 。代工厂预计,这些将使用 120x120mm 的巨大封装,并消耗千瓦的功率。

最新版本的 CoWoS 允许台积电制造比光掩模尺寸大约 3.3 倍的硅中介层。因此,逻辑、8 个 HBM3/HBM3E 内存堆栈、I/O 和其他小芯片最多可占用 2831 mm2。最大基板尺寸为80×80毫米。AMD的Instinct MI300X和Nvidia的B200都使用这种技术,尽管Nvidia的B200处理器比AMD的MI300X更大。

下一代 CoWoS_L 将于 2026 年投入生产,将能够实现约 5.5 倍掩模版尺寸的中介层。这意味着 4719 mm2 将可用于逻辑、最多 12 个 HBM 内存堆栈和其他小芯片。此类 SiP 还需要更大的基板,根据台积电的幻灯片,我们正在考虑 100x100 毫米。因此,此类处理器将无法使用 OAM 模块。

台积电不会就此止步:到 2027 年,它将拥有 CoWoS 技术版本,该技术将使中介层的尺寸达到光罩尺寸的八倍或更多倍,这将为小芯片提供 6,864 平方毫米的空间。台积电设想的其中一种设计依赖于四个堆叠式集成系统芯片 ,与 12 个 HBM4 内存堆栈和额外的 I/O 芯片相配合。这样一个庞然大物肯定会消耗巨大的功率——我们这里讨论的是数千瓦,并且需要非常复杂的冷却技术。台积电还预计此类解决方案将使用 120x120mm 基板。

有趣的是,今年早些时候,Broadcom 展示了 一款定制 AI 处理器,具有两个逻辑芯片和 12 个 HBM 内存堆栈。我们没有这款产品的具体规格,但它看起来比 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 更大,尽管没有台积电 2027 年计划的那么大。

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